Затем пластину переворачивают, шлифуют и полируют со стороны монокристаллического кремния почти до пленкиSiO2 . Оставшийся перед пленкойSiO2 слой монокристаллического кремния снимают в полирующем травителе. В результате получается подложка с изолированными областями(карманами) монокристаллического кремния. В каждом из карманов обычными приемами планарной технологии формируют необходимые структуры активных и пассивных элементов ИМС. Таким образом, изоляция элементов ИМС осуществляется тонкой пленкой SiO2 . Слой поликристаллического кремния, в котором утоплены области монокристаллического кремния, играет роль несущей подложки.

Изоляция элементов ИМС воздушными промежутками.

Принципиальное отличие изоляции воздушными промежутками от изоляции тонкой пленкой диэлектрика заключается в наличии непроводящей подложки. Этим отличием обусловлены качественно новые характеристики ИМС.

К методам изоляции элементов ИМС воздушными промежутками относятся: декаль-метод, метод балочных выводов, метод «кремний на сапфире» (КНС) и др.

Комбинированный способ изоляции.

Стремление к использованию преимуществ, которыми обладают методы изоляции с помощью обратно смещенногоp -n - перехода и диэлектрической изоляции в единой структуре, привело к созданию комбинированного способа изоляции. При комбинированном способе изоляция элементов с боковых сторон осуществляется диэлектриком, а со стороны дна– обратно смещенным p -n -переходом. Способы комбинированной изоляции, (изопланар, эпипланар, полипланар и др.) наиболее перспективны для получения высокой плотности размещения элементов и улучшения электрических параметров ИМС.

5.8 Разработка топологии полупроводниковых ИМС

Основой для разработки топологии полупроводниковой ИМС являются электрическая схема, требования к электрическим параметрам и к параметрам активных и пассивных элемен-

тов, конструктивно-технологические требования и ограничения. Разработка чертежа топологии включает в себя такие этапы:

выбор конструкции и расчет активных и пассивных элементов ИМС; размещение элементов на поверхности и в объеме подложки и создание рисунка разводки(коммутации) между элементами; разработку предварительного варианта топологии; оценку качества топологии и ее оптимизацию; разработку окончательного варианта топологии. Целью работы конструктора при разработке топологии является минимизация площади кристалла ИМС, минимизация суммарной длины разводки и числа пересечений в ней.

Конструктивно-технологические ограничения при разработке топологии ИМС на биполярных транзисторах. Важней-

шей технологической характеристикой, определяющей горизон-

может быть уверенно сформирован при заданном уровне технологии, например, минимальная ширина окна в окисле кремния, минимальная ширина проводника, минимальный зазор между проводниками, минимальное расстояние между краями эмиттерной и базовой областей и т.д. Пусть минимальный размер, который может обеспечить технология, равен d . Тогда зазор между областью, занимаемой транзистором, и другими элементами ИМС больше минимального размераd на величину боковой диффузии под окисел, которая при разделительной диффузии примерно равна толщине эпитаксиального слоя d э .

Правила проектирования топологии полупроводниковой ИМС. Разработка топологии ИМС – творческий процесс, и его результаты существенно зависят от индивидуальных способностей разработчика, его навыков и знаний. Сущность работы по

созданию топологии ИМС сводится к нахождению такого оптимального варианта взаимного расположения элементов схемы, при котором обеспечиваются высокие показатели эффективности производства и качества ИМС: низкий уровень бракованных изделий, низкая стоимость, материалоемкость, высокая надежность, соответствие получаемых электрических параметров заданным. К разработке топологии приступают после того, как количество, типы и геометрическая форма элементов ИМС определены.

Правила проектирования изолированных областей. Количество и размеры изолированных областей оказывают существенное влияние на характеристики ИМС, поэтому:

2) к изолирующим p -n -переходам всегда должно быть приложено напряжение обратного смещения, что практически осуществляется подсоединением подложкир- типа, или области разделительной диффузии р- типа, к точке схемы с наиболее отрицательным потенциалом. При этом суммарное обратное напряжение, приложенное к изолирующемур -n- переходу, не должно превышать напряжения пробоя;

3) диффузионные резисторы, формируемые на основе базового слоя, можно располагать в одной изолированной области, которая подключается к точке схемы с наибольшим положительным потенциалом. Обычно такой точкой является контактная площадка ИМС, на которую подается напряжение смещения от коллекторного источника питания;

4) резисторы на основе эмиттерного и коллекторного слоев следует располагать в отдельных изолированных областях;

5) транзисторы типа n -р -n , коллекторы которых подсоединены непосредственно к источнику питания, целесообразно размещать в одной изолированной области вместе с резисторами;

6) транзисторы типа n -р -n , которые включены по схеме с

общим коллектором, можно располагать в одной изолированной области;

7) все другие транзисторы, кроме упомянутых в п. 5 и 6, необходимо располагать в отдельных изолированных областях, т.е. все коллекторные области, имеющие различные потенциалы, должны быть изолированы;

9) количество изолированных областей для диодов может сильно изменяться в зависимости от типа диодов и способов их включения. Если в качестве диодов используются переходы ба- за-коллектор, то для каждого диода требуется отдельная изолированная область, так как каждый катод(коллекторная область n -типа) должен иметь отдельный вывод. Если в качестве диодов используются переходы эмиттер – база, то все диоды можно поместить в одной изолированной области. При этом все катоды диодов (эмиттерные области) сформированы отдельно в общем аноде. Аноды диодов с помощью соединительной металлизации закорачивают на изолированную (коллекторную) область;

10) для диффузионных конденсаторов требуются отдельные изолированные области. Исключение составляют случаи, когда один из выводов конденсатора является общим с другой изолированной областью;

11) для диффузионных перемычек всегда требуются - от дельные изолированные области.

Правила размещения элементов ИМС на площади кристалла. После определения количества изолированных областей приступают к их размещению в нужном порядке, размещению элементов, соединению элементов между собой и с контактными площадками, руководствуясь следующими правилами:

1) при размещении элементов ИМС и выполнении зазоров между ними необходимо строго выполнять ограничения, соответствующие типовому технологическому процессу;

2) резисторы, у которых нужно точно выдерживать отношение номиналов, должны иметь одинаковую ширину и конфигурацию и располагаться рядом друг с другом. Это относится и к другим элементам ИМС, у которых требуется обеспечить точное соотношение их характеристик;

3) резисторы с большой мощностью не следует располагать вблизи активных элементов;

4) диффузионные резисторы можно пересекать проводящей дорожкой поверх слоя окисла кремния, покрывающего резистор;

5) форма и место расположения конденсаторов не являются критичными;

7) для улучшения развязки между изолированными областями контакт к подложке следует располагать рядом с мощным транзистором или как можно ближе ко входу или выходу схемы;

8) число внешних выводов в схеме, а также порядок расположения и обозначения контактных площадок выводов ИМС на кристалле должны соответствовать выводам корпуса;

9) коммутация в ИМС должна иметь минимальное количество пересечений и минимальную длину проводящих дорожек. Если полностью избежать пересечений не удается, их можно осуществить, используя обкладки конденсаторов, формируя дополнительные контакты к коллекторным областям транзисторов, применяя диффузионные перемычки,инаконец, создавая дополнительный слой изоляции между пересекающимися проводниками;

10) первую контактную площадку располагают в нижнем левом углу кристалла и отличают от остальных по ее положению относительно фигур совмещения или заранее оговоренных элементов топологии.

Нумерацию остальных контактных площадок проводят против часовой стрелки. Контактные площадки располагают в зависимости от типа выбранного корпуса по периметру кристалла или по двум противоположным его сторонам;

11) фигуры совмещения располагают одной-двумя группа-

ми на любом свободном месте кристалла; 12) при разработке аналоговых ИМС элементы входных

дифференциальных каскадов должны иметь одинаковую топологию и быть одинаково ориентированными в плоскости кристалла; для уменьшения тепловой связи входные и выходные каскады должны быть максимально удалены; для уменьшения высокочастотной связи через подложку контакт к ней следует осуществлять в двух точках – вблизи входных и выходных каскадов.

Рекомендации по разработке эскиза топологии. Для обеспечения разработки эскиза топологии рекомендуется с самого начала вычертить принципиальную электрическую схему так, чтобы ее выводы были расположены в необходимой последовательности. Каждая линия, пересекающая резистор на принципиальной электрической схеме, будет соответствовать металлизированной дорожке, пересекающей диффузионный резистор по окислу на топологической схеме.

На этапе эскизного проектирования топологии необходимо предусмотреть решение следующих задач: расположить как можно большее число резисторов в одной изолированной области; подать наибольший потенциал на изолированную область, где размещены резисторы; подать наиболее отрицательный потенциал на подложку вблизи мощного транзистора выходного каскада; рассредоточить элементы, на которых рассеиваются большие мощности; расположить элементы с наименьшими размерами и с наименьшими запасами на совмещение в центре эскиза топологии; сократить число изолированных областей и уменьшить периметр каждой изолированной области.

В случае, если принципиальная электрическая схема содержит обособленные группы или периодически повторяющиеся группы элементов, объединенных в одно целое с точки зрения выполняемых ими функций, разработку рекомендуется начинать с составления эскизов топологии для отдельных групп элементов, затем объединить эти эскизы в один, соответствующий всей схеме.

На основе эскиза разрабатывают предварительный вариант топологии, который вычерчивают на миллиметровой бумаге в выбранном масштабе, обычно 100:1 или 200:1 (выбирают мас-

штабы, кратные 100). Топологию проектируют в прямоугольной системе координат. Каждый элемент топологии представляет собой замкнутую фигуру со сторонами, состоящими из отрезков прямых линий, параллельных осям координат. Придание элементам форм в виде отрезков прямых линий, непараллельных осям координат, допустимо только в тех случаях, когда это приводит к значительному упрощению формы элемента. Например, если форма элемента состоит из ломаных прямых, составленных в виде «ступенек» с мелким шагом, рекомендуется заменить их одной прямой линией. Координаты всех точек, расположенных в вершинах углов ломаных линий, должны быть кратны шагу координатной сетки.

В процессе вычерчивания топологии для получения оптимальной компоновки возможно изменение геометрии пассивных элементов, например пропорциональное увеличение длины и ширины резисторов или их многократный изгиб, позволяющие провести над резистором полоски металлической разводки или получить более плотную упаковку элементов. При изменении формы пассивных элементов в процессе их размещения проводят корректировочные расчеты.

При проектировании слоя металлизации размеры контактных площадок и проводников следует брать минимально допустимыми, а расстояния между ними – максимально возможными.

После выбора расположения элементов и контактных площадок, создания рисунка разводки необходимо разместить на топологии фигуры совмещения, тестовые элементы (транзисторы, резисторы и т.д. – приборы, предназначенные для замера электрических параметров отдельных элементов схемы), реперные знаки. Фигуры совмещения могут иметь любую форму (чаще всего квадрат или крест), причем надо учесть, что на каждом фотошаблоне, кроме первого и последнего, имеются две фигуры, расположенные рядом друг с другом. Меньшая фигура предназначена для совмещения с предыдущей технологической операцией, а большая – с последующей. На первом фотошаблоне расположена только большая фигура, а на последнем – только меньшая.

При разработке топологии важно получить минимальную площадь кристалла ИМС. Это позволяет увеличить производительность, снизить материалоемкость и повысить выход годных

ИМС, поскольку на одной полупроводниковой пластине можно разместить большее число кристаллов и уменьшить вероятность попадания дефектов, приходящихся на кристалл. При размерах стороны кристалла до 1 мм ее величину выбирают кратной 0,05 мм, а при размерах стороны кристалла 1…2 мм – кратной 0,1 мм.

Для любой принципиальной электрической схемы можно получить много приемлемых предварительных вариантов топологии, удовлетворяющих электрическим, технологическим и конструктивным требованиям. Любой предварительный вариант подлежит дальнейшей доработке.

Если после уплотненного размещения всех элементов на кристалле выбранного размера осталась незанятая площадь, рекомендуется перейти на меньший размер кристалла. Если этот переход невозможен, то незанятую площадь кристалла можно использовать для внесения в топологию изменений, направленных на снижение требований к технологии изготовления полупроводниковой ИМС. Например, можно увеличить размеры контактных площадок и расстояния между контактными площадками, ширину проводников и расстояние между ними, по возможности выпрямить элементы разводки, резисторы, границы изолированных областей. Пример общего вида топологии приведен на рис. 5.25.

Проверка правильности разработки топологии ИМС. По-

следний из составленных и удовлетворяющий всем требованиям вариант топологии подвергают проверке в такой последовательности. Проверяют соответствие технологическим ограничениям: минимальных расстояний между элементами, принадлежащими одному и разным слоям ИМС; минимальных размеров элементов, принятых в данной технологии, и других технологических ограничений; наличия фигур совмещения для всех слоев ИМС; размеров контактных площадок для присоединения гибких выводов; расчетных размеров элементов их размерам на чертеже топологии; мощности рассеяния резисторов, максимально допустимой удельной мощности рассеяния, а также обеспечение возможности контроля характеристик элементов ИМС.

						Таблица 1
	Элементы структуры				Используемый материал		Поверхност-
							ное сопротив
	Наименование				Наименование
	Подложка
	Эпитаксиальный
					Трехбромный бор
	Разделительная
	Базовая область				Трехбромный бор
	Эмиттерная				Треххлористый
					фосфор ОС 449-4
	Металлизация				Алюминий А99
	Скрытый слой				Трехокись сурьмы
	Изолирующая				SiO2
	Пассивирующая				SiO2
	пленка не показ.

1.Все размеры на чертеже даны в мкм

2. Характеристики и данные по изготовлению отдельных слоев приведены в таблице 1

3. Нумерация контактных площадок и обозначения элементов показаны условно

4. Элементы в слоях выполнять по таблицам координат, приведенным на соответствующих листах чертежа

Кристалл

6 КЭФ 4,5 / 3, 5 КЭС 15 60 200КДБ 10(100)

Рис. 5.25 – Общий вид топологии ИМС на биполярных транзисторах

Обязанности сторон.

Создание и передача пользователю произведения, которое соответствует условиям заключенного договора, в частности, литературное произведении должно соответствовать зафиксированным в договоре заказа виду литературы, жанру, иметь согласованный с издательством объем;

Лично выполнить заказанную ему работу. Привлечение к работе других лиц, изменение соавторов допустимы только с согласия организации-заказчика, что как правило оформляется составлением нового или изменением прежнего авторского договора;

Предоставляет произведение в установленный договором срок. Автор может представить произведении досрочно, при условии, что в договоре не зафиксировано иное. Произведение должно быть представлено заказчику в готовом виде, т..е должны быть включен все элементы;

В случае необходимости доработать произведении по требованию заказчика. Необходимость в доработке может быть выявлена в результате рассмотрения произведения, когда оно в целом соответствует требованием договора, но требует внесения определенных уточнений или изменений №;

Принять участие в подготовке произведения;

Не передавать третьим лицам указанное в договоре произведение или его часть для использования тем же способом, в тех же пределах, если не это не получено согласие первоначального пользователь.

Обязанности пользователя:

Принять и рассмотреть переданное автором произведении. Пользователь в этом случае проверяет качество произведения, при необходимости – комплектность. Как правило, факт принятия произведения оформляется специальным документом, который подтверждает сдача автором произведения. В авторском договоре может быть зафиксировано положение о том, что произведение принято, если пользователь в течении определенного времени не потребовал от автора определенного оформления и доукомплектования произведения;

Соблюдает личные неимущественные права автора;

Реально использовать произведение;

Уплачивает вознаграждение.

п.1 ст.1448 ГК – топологией интегральной микросхемы является зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связи между ними.

Такими материальным носителем является отдельный кристалл или совокупность кристаллов, на поверхности или в объеме которых располагаются как отдельные элементы микросхемы, так и связи между ними.

Сама топология принадлежит охране не зависимо от того на каком виде носителей она воспроизведена.

Охрана данного объекта не зависит от конкретного материального носителя, содержащего данный объект интеллектуальных прав.

Правовая охрана предоставляется только оригинальным топологиям интегральных микросхем. Оригинальность является основным и единственным юридически значимым признаком необходимым для предоставления топологии правовой охраны.

ГК предусматривает 2 критерия, согласно которым топология интегральной микросхемы может признаваться оригинальной:

В силу прямого указания п.3 ст. 1448 ГК правовая охрана предусматриваемая в отношении топологий интегральных микросхем не распространяется на идеи, способы, системы, технологию и закодированную информацию, которые могут быть воплощены в данной топологии.

Субъектом права на топологии интегральных микросхем является автор, а также лицо, к которому исключительные права в отношении соответствующих микросхем могут перейти в силу закона или договора.

ст.1450 ГК устанавливает презумпцию – до тех пор, пока не будет доказано иное, автором топологии должно признаваться лицо, указанное в заявке на выдачу свидетельства о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы.

Создание современных топологий, как правило, требует совместной работы значительных коллективов авторов. В большинстве случаев, топология будет считаться служебным произведением. Отношения связанные с осуществлением совместной творческой деятельности по созданию данной топологии могут считаться как отношения соавторства.

ст. 1461 ГК – в случае, если топология создана работником в связи с выполнением трудовых обязанностей или конкретного задания работодателя она признается служебной топологией.

В тоже время топология созданная работником с использованием денежных, технических или иных материальных средств работодателя, но не в связи с выполнением своих трудовых обязанностей или конкретного задания работодателя не является служебной.

ст.1464 ГК – топология может быть создана при выполнении работ по государственному или муниципальному контракту. В этом случае существует общая презумпция, что исключительное право принадлежит исполнителю, либо совместно исполнителю и публично-правовому образованию или только публично-правовому образованию.

Государственная регистрация данного объекта устанавливается как право, а не обязанность правообладателя, т.е. является добровольной, осуществляемой факультативно и не влияющей на сам факт признания прав и предоставление правовой охраны.

п.1 ст.1457 ГК – исключительное право на топологию действует в течение 10 лет. Срок действия этого права исчисляется либо со дня первого использования топологии, либо со дня регистрации топологи в Роспатенте.

УДК 004.023

ОБ ОХРАНЕ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫХ ПРАВ НА ТОПОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Штоляков Валерий Иванович

профессор кафедры полиграфических машин и оборудования, кандидат технических наук, доцент Московский государственный университет печати имени Ивана Федорова 127550 Россия, г. Москва, ул. Прянишникова, д. 2А [email protected]

Яганова Мадина Владимировна

старший преподаватель кафедры полиграфических машин и оборудования Московский государственный университет печати имени Ивана Федорова 127550 Россия, г. Москва, ул. Прянишникова, д. 2А паНап 1 @уапёех. ги

Аннотация. В статье рассматриваются вопросы возникновения гражданско-правовой охраны топологий интегральных микросхем. С учетом международных норм и современного законодательства анализируются вопросы защиты и охраны топологий интегральных микросхем в Российской федерации, странах СНГ и других государствах.

Ключевые слова: интегральная микросхема, топология интегральной микросхемы, интеллектуальная собственность, авторское право, промышленная собственность, исключительные права.

Базу современной информационной техники составляет микроэлектроника, активное развитие которой начинается с 60-х годов ХХ века, когда электронная аппаратура стала более сложной, увеличились ее габариты и повысились требований к ее надежности. В этот период времени начали создаваться электронные функциональные устройства в микроминиатюрном интегральном исполнении, что определило новое направление - микроэлектронику, основу которой составили интегральные микросхемы.

Интегральные микросхемы активно используются в микроэлектронике, выполняя функцию электронной схемы, посредством которой аналоговый сигнал преобразуется в цифровую форму. Интегральная микросхема (ИМС) представляет собой микроэлектронное изделие окончательной или промежуточной формы, изготовленное на базе кристаллов сверхчистого (аморфного) кремния или германия, в которых перестроена кристаллическая решетка. Элементы ИМС определенным образом связаны между собой, образуя несколько слоев в виде электронных схем, соединенных между собой как по горизонтали, так и по вертикали.

Используя достижения в области физики твердого тела, проектируются и создаются миниатюрные электронные структуры. Их наносят на поверхность кристаллов и называют чипом (англ. Chip - букв. щепка, осколок). Плотность упаковки современных чипов превышает 500 млн транзисторов на 1 см.2 Особенность любой микросхемы определяется подбором и взаимным расположением ее элементов, ее топологией.

ИМС представляют собой объекты интеллектуальной собственности, которым

предоставляется особый режим правовой охраны вне рамок патентного и авторского права.

Для обеспечения регулирования отношений, возникающих в процессе создания и последующего использования результатов творческой деятельности в области микроэлектроники, требовалась их правовая охрана. Впервые правовая охрана ИМС была предоставлена в США, где в 1984 году приняли Закон об охране полупроводниковых интегральных микросхем. Позднее в 1985 году аналогичный Закон был принят в Японии. Правовое регулирование на уровне Европейского союза (ЕС) помогло создать положение Директивы Совета 87/54/ЕЕС от 16 декабря 1986 года о правовой охране топологий полупроводниковых изделий (ИМС). Директива закрепляла трактовку понятий «интегральная микросхема», «топология интегральной

микросхемы», «коммерческое использование топологии интегральной микросхемы». В мае 1989 года в Вашингтоне на конференции стран-участниц ВОИС (Всемирная организация интеллектуальной собственности), включая бывший СССР, был подписан договор об интеллектуальной собственности в отношении топологии ИМС.

Так под топологией ИМС в Директиве понимается серия взаимосвязанных изображений, каким-либо образом зафиксированных или закодированных и отражающих трехмерную структуру слоев, из которых состоит полупроводниковое изделие, при этом каждое изображение отражает рисунок или часть рисунка поверхности полупроводникового изделия на любой стадии его изготовления. Несколько упрощенная редакция представлена в ст. 1448 ГК РФ, где топология интегральных микросхем представляется в виде зафиксированной на

материальном носителе в пространственно-геометрическом расположении совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними.

В Директиве отмечалось, что топологии интегральных микросхем предоставляется правовая охрана при условии, что она является результатом интеллектуальной (умственной) деятельности ее разработчиков, т.е. является оригинальной и не стала известной. Если топология состоит из общеизвестных в полупроводниковой промышленности элементов, то ей предоставляется охрана при условии, когда совокупность подобных элементов не является общеизвестной. При соблюдении ряда условий охрана предоставляется также юридическим лицам, которым принадлежит право первого коммерческого использования топологии ИМС.

Вопросы, связанные с правовой охраной результатов этого специфического вида интеллектуальной деятельности в России регулируются Гражданским кодексом РФ, Главой 74 «Право на топологии интегральных микросхем». Закон предусматривает депонирование материалов, идентифицирующих топологию, и ее официальную регистрацию. В то же время авторское право не защищает идеи, технологию или способы кодирования информации, воплощенные в топологии. Объектом охраны является лишь взаимное расположение элементов ИМС.

Исключительные права на топологию ИМС прекращаются через 10 лет после окончания календарного года, в котором топология была впервые использована в коммерческих целях. В случае получения свидетельства на государственную регистрации топологии, 10-летний отчет начинается с момента окончания календарного года, в котором была подана заявка на регистрацию. Исключительное

право на топологию ИМС включает право использовать, распоряжаться исключительным правом, разрешать или запрещать.

Правообладатель для оповещения о своем исключительном праве на топологию вправе использовать знак охраны, который помещается на ИМС или на изделие, содержащее топологию. Знак охраны, позволяющий идентифицировать

правообладателя, состоит из выделенной прописной буквы «Т» в окружности или квадрате и даты начала срока действия исключительного права на топологию. Однако многие государства по разному подошли к проблеме охраны права на топологии ИМС, поскольку до конца не решен из-за своей специфики статус их охраны авторским или патентным правом, или правом особого рода (sшgeneris). На уровне стран Европейского Союза действует Директива № 87/54, устанавливающая лишь общие условия охраны топологий ИМС, вводя для них и право особого рода. В Великобритании и Индии они отнесены к объектам авторско-правовой охраны, а в Швейцарии и Аргентине они охраняются законом о недобросовестной конкуренции. В странах СНГ, например, Республике Казахстан и Республике Беларусь топологии ИМС отнесены к объектам промышленной собственности.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Корнеев В.А. Программы для ЭВМ, базы данных и топологии интегральных микросхем как объект интеллектуального права. - М.: Статут, 2010. - С. 165.

2. Штоляков В.И., Яганова М.В. Возникновение правовой охраны программ для ЭВМ и баз данных. // Вестник МГУП имени Ивана Федорова. - 2015. - № 1. - С. 184-188.

PROTECTION OF INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS ON TOPOLOGIES OF INTEGRAL MICROCIRCUITS

Valery Ivanovich Shtolyakov

Madina Vladimirovna Yaganova

Moscow State University of Printing Arts 127550Russia, Moscow, Pryanishnikova st., 2Â

Annotation. The article describes the origin of civil security of topologies of integral microcircuits. The questions of protection and security of topologies of integral microcircuits in Russian Federation, CIS and other countries are analyzed considering international standards and present-day legislation.

Keywords: Integral microcircuits, topologies of integral microcircuits, intellectual property, copyright, industrial property, exclusive right.

Правовая охрана топологий интегральных микросхем (далее – ИМС) возникла только в конце ХХ века. Первой страной, принявшей в 1984 г. Закон об охране полупроводниковой интегральной микросхемы стали США. Вслед за ними в 1985 г. аналогичный закон был принят в Японии.

Это связано с тем, что именно эти страны явились пионерами развития современной микроэлектроники, важнейшим объектом которой являются ИМС. Однако оказалось, что методами патентного и авторского права могут охраняться не все результаты творческой деятельности в сфере микроэлектроники, что и вызвало необходимость принятия специальных законов об охране топологий ИМС.

В России такой правовой акт – Закон «О правовой охране топологий интегральных микросхем» был принят в 1992 году. С 1 января 2008 года эти отношения регулирует ч. IV Гражданского кодекса РФ.

Согласно ст. 1448 ГК топологией интегральной микросхемы является зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними. При этом интегральной микросхемой является микроэлектронное изделие окончательной или промежуточной формы, предназначенное для выполнения функций электронной схемы, элементы и связи которого нераздельно сформированы в объеме и (или) на поверхности материала, на основе которого изготовлено изделие.

Виды материальных носителей могут быть самыми различными: бумага (для чертежей), прозрачная полимерная пленка (для фотошаблонов), магнитный или оптический диск с закодированной на нем информацией о топологии (применяемые в технологии для использования фотошаблонов), наконец, сам кристалл (из полупроводникового или иного материала) интегральной микросхемы со сформированной на нем топологией.

Термин «пространственно-геометрическое» говорит о трехмерном расположении элементов и взаимосвязей, формируемых на кристалл путем последовательного нанесения слоев.

Правовая охрана распространяется только на оригинальную топологию, созданную в результате творческой деятельности автора и являющуюся неизвестной автору и (или) специалистам в области разработки топологий на дату её создания. Топология признается оригинальной до тех пор, пока не доказано обратное.

Топологии, состоящей из элементов, которые известны специалистам в области разработки топологий на дату создания этой топологии, предоставляется правовая охрана только в том случае, если совокупность таких элементов в целом удовлетворяет требованию оригинальности.

Четвертой частью Гражданского кодекса РФ особо устанавливается, что правовая охрана, предоставляемая настоящим Кодексом, не распространяется на идеи, способы, системы, технологию или закодированную информацию, которые могут быть воплощены в топологию. Эти результаты творческой деятельности могут охраняться по нормам авторского и патентного права.

Охрана топологий ИМС как и объектов авторского права возникает с момента их создания, придание топологии объективной формы, например, образец чипа, компакт-диск. Как и для программ для ЭВМ охрана возникает независимо от соблюдения каких-либо формальностей, однако правообладатель в течение срока действия исключительного права на топологию может по своему желанию зарегистрировать её в федеральном органе исполнительной власти по интеллектуальной собственности. Однако, если топология содержит сведения, составляющие государственную тайну, она регистрации не подлежит.

Порядок государственной регистрации топологии установлен ст. 1452 Гражданского кодекса РФ. Для осуществления регистрации, правообладатель должен подать заявку на выдачу свидетельства о государственной регистрации топологии в срок, не превышающий двух лет со дня первого использования топологии.

Заявка на регистрацию должна относится к одной топологии и содержать:

Заявление о государственной регистрации топологии с указанием лица, на имя которого испрашивается регистрация, а также автора, если он не отказался быть упомянутым в качестве такового, места жительства или места нахождения каждого из них, даты первого использования топологии, если оно имело место;

Депонируемые материалы, идентифицирующие топологию, включая реферат;

Документ, подтверждающий уплату пошлины в установленном размере, или основания освобождения от уплаты пошлины, либо уменьшения её размера, либо отсрочки её уплаты;

Правила оформления заявки на регистрацию определяет федеральный орган исполнительной власти, осуществляющий нормативно-правовое регулирование в сфере интеллектуальной собственности.

В настоящее время это Правила составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию топологии интегральной микросхемы от 25 февраля 2003 года.

В ходе рассмотрения заявки на государственную регистрацию топологии ИМС осуществляется только проверка наличия необходимых документов и их соответствие установленным требованиям. Проверка существа решения, например, оригинальности топологии, не проводится.

При положительном результате проверки топология вносится в Реестр топологий ИМС, заявителю выдается свидетельство о государственной регистрации топологии, публикуются сведения о зарегистрированной топологии в официальном бюллетене.

Лицу (лицам), в результате творческого труда которого (которых) создана топология ИМС, принадлежат следующие интеллектуальные права:

1) исключительное право;

В случаях, предусмотренных ГК, автору принадлежат также другие права, в том числе право на вознаграждение за использование служебной топологии. Если исключительное права на топологию, созданную работником в связи с выполнением своих трудовых обязанностей или конкретного задания, принадлежит работодателю, работник имеет право на получение от работодателя вознаграждения, размер которого, условия и порядок выплаты определяются договором между указанными субъектами, а в случае спора – судом. Таким же правом на вознаграждение обладает автор топологии, созданной при выполнении работ по договору подряда или договору на НИОКР, заказу или при выполнении работ по государственному или муниципальному контракту.

Исключительное право на топологию, как и иные объекты интеллектуальных прав, предоставляет правообладателю возможность использования топологии любым, не противоречащим закону способом. Часть 4 ГК признает использованием топологии действия, направленные на извлечение прибыли, в частности:

1) воспроизведение топологии в целом или частично путем включения в интегральную микросхему либо иным образом, за исключением воспроизведения только той части топологии, которая не является оригинальной;

2) ввоз на территорию Российской Федерации, продажа и иное введение в гражданский оборот топологии, или интегральной микросхемы, в которую включена эта топология, или изделия, включающие в себя ИМС.

Далее правообладатель может распоряжаться исключительным правом на топологию. Распоряжение может осуществляться путем заключения договоров об отчуждении исключительного права на топологию или лицензионных договоров о предоставлении права использования топологии ИМС.

В силу специфики топологий ИМС, позволяющей создать идентичные объекты в результате, так называемого, параллельного творчества ст. 1454 ГК устанавливает, что за лицом, независимо создавшим топологию, идентичную другой топологии, признается самостоятельное исключительное право на эту (самостоятельно созданную) топологию.

Поэтому использование таких топологий осуществляется их правообладателями свободно и не может рассматриваться как правонарушение.

Гражданский кодекс устанавливает также перечень действий, которые не являются нарушением исключительного права на топологию.

К таковым относится:

1) осуществление действий по воспроизведению топологии или её ввозу, продажи, иному введению в гражданский оборот в целях извлечения прибыли, в отношении ИМС, в которую включена незаконно воспроизведенная охраняемая топология, а также любого включающего в себя такую интегральную микросхему изделия в случаях, если лицо, совершающее такие действия, не знало и не должно было знать, что в неё включена незаконно воспроизведенная топология. После получения уведомления о незаконном воспроизведении охраняемой топологии указанное лицо может использовать наличный запас изделий, включающим в себя ИМС, в которую включена незаконно воспроизведенная топология, а также изделия, заказанные до этого момента. При этом указанное лицо обязано выплатить правообладателю компенсацию за использование топологии, соразмерную тому вознаграждению, которое могло бы быть выплачено при сравнимых обстоятельствах за аналогичную топологию;

2) использование охраняемой топологии в личных целях, не преследующих получения прибыли, а также в целях оценки, анализа, исследования или обучения;

3) распространение интегральных микросхем с охраняемой топологией, ранее введенных в гражданский оборот лицом, обладающим исключительным правом на топологию, или иным лицом с разрешения правообладателя.

Независимо от регистрации топологии ИМС правообладатель для оповещения о своем исключительном праве на топологию интегральной микросхемы вправе использовать знак охраны, который помещается на охраняемой топологии, а также на изделиях, содержащих такую топологию, и состоит из следующим элементов:

Выделенной прописной буквы Т («Т», [Т], (Т), Т* или Т);

Даты начала срока действия исключительного права на охраняемую топологию;

Информация, позволяющая идентифицировать правообладателя.

Помещение такого знака не является обязательным и зависит от усмотрения автора или иного обладателя исключительного права на топологию ИМС.

Исключительное право на охраняемую топологию действует в течение 10 лет. Срок действия исключительного права на топологию исчисляется либо со дня первого использования топологии, под которым подразумевается наиболее ранняя документально зафиксированная дата введения в гражданские оборот этой топологии в России или за рубежом, интегральной микросхемы с этой топологией или включающего в себя такую интегральную микросхему изделия, либо со для регистрации топологии в федеральном органе исполнительной власти по интеллектуальной собственности, в зависимости от того, какое из указанных событий наступило первым. В случае появлении идентичной оригинальной топологии независимо созданной другим автором, исключительные права на обе топологии прекращаются по истечении 10 лет после возникновения исключительного права на первую из них.

По истечении срока действия исключительного права охраняемая топология переходит в общественное достояние, то есть может свободно использоваться любым лицом без чьего-либо согласия или разрешения и без выплаты вознаграждения за использование.

В случае нарушения исключительного права на топологию ИМС или иных прав автора могут использоваться меры защиты, предусмотренные гражданским кодексом РФ, установленные для защиты и иных интеллектуальных прав ст. ст. 12; 1250-1252. Защита прав осуществляется судом. Уголовной или административной ответственности за нарушение прав на топологии ИМС в настоящее время не предусмотрено.

Интегральные микросхемы представляют собой один из важнейших объектов интеллектуальной собственности, поскольку они имеют широчайшее распространение во всех современных устройствах как бытового, так и промышленного назначения.

Техническая эволюция интегральных микросхем прошла несколько этапов. Прообразом были радиоприемные устройства, для создания которых использовались принципиальные и монтажные схемы. Первые представляли собой графические изображения электрических соединений всех элементов электронных устройств с их спецификациями, а вторые - пространственное расположение указанных элементов - радиоламп, сопротивлений, конденсаторов, индуктивностей и т.д.

С появлением полупроводниковых транзисторов все детали электронных устройств стали монтировать на печатных платах, что позволило уменьшить размеры и энергопотребление устройств. Последующая миниатюризация электронных устройств привела к созданию микросхем, в которых все элементы создавались на одном полупроводниковом кристалле. Первая микросхема была разработана Д. Килби в 1958 г. и произведена в 1961 г. фирмами Fairchild Semiconductor Согр. и Texas Instruments.

Со временем микросхемы совершенствовались, повышалась степень их интеграции и надежность. В настоящее время микросхемы могут содержать миллионы элементов. Одним из важнейших видов интегральных микросхем общего назначения стали микропроцессоры, созданные фирмами Intel в 1971 г. и Motorola , что стало основой широчайшей компьютеризации всех сфер деятельности.

Интегральная микросхема - это изделие, в котором активные (транзисторы и диоды), пассивные (сопротивления, конденсаторы и индуктивности) и соединяющие их компоненты электронной схемы воплощены в объеме составного полупроводникового носителя 1 .

В настоящее время производство интегральных микросхем представляет собой одну из важнейших отраслей промышленного производства, обеспечивающую совершенствование и создание новой продукции и новых производств.

Как и в отношении иных научно-технических достижений, производители микросхем с самого начала столкнулись с проблемой копирования своих достижений конкурентами. Однако особенности микроэлектроники таковы, что копирование никогда не было простым. Иногда издержки на анализ и повторение оказываются выше, чем расходы на собственные исследования, разработки и производство.

Исключительная сложность современных интегральных микросхем обеспечивает их техническую защиту от копирования. Тем не менее западные фирмы, понимающие необходимость патентования для защиты своих научно-технических достижений на внутреннем и международном рынке, добивались правовой охраны микросхем. Первые формы охраны топологий (пространственных расположений элементов) интегральных микросхем осуществлялись авторским правом по аналогии со схемами, картами, чертежами. Впоследствии топологии интегральных микросхем стали охраняться специализированными законами, которые по принципам возникновения права относились к законодательству о промышленной собственности.

Интегральные микросхемы являются одним из важнейших объектов интеллектуальной собственности, поскольку они чрезвычайно широко используются практически в любых современных товарах - от товаров бытового назначения до автоматизированных систем, участков, устройств автоматизированного производства. Все современные транспортные средства как гражданского, так и военного назначения немыслимы без широкого использования интегральных микросхем.

Первые определения интегральных микросхем и их топологий были даны в Директиве Европейского Союза и в Договоре об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем. Схожие определения используются в законодательстве некоторых стран с переходной экономикой, однако они содержат неточности, связанные с недостаточным пониманием технического существа объекта охраны. Не претендуя на полноту, можно предложить следующее определение.

Топология интегральной микросхемы - это пространственное расположение всех компонентов интегральной микросхемы, воплощенной в полупроводниковом носителе 1 .

Объектом охраны являются топологии интегральных микросхем, которые реализуются в тех или иных изделиях. Несмотря на то что охрана предоставляется топологиям интегральных микросхем, знания топологии недостаточно для воссоздания изделия, в котором она используется. Необходимо знать характеристики всех активных и пассивных элементов микросхемы. Однако установить детальные характеристики и свойства миллионов активных и пассивных элементов крайне сложно. Для сверхбольших интегральных микросхем обратный инжиниринг оказывается чрезвычайно сложным и дорогим. Современные интегральные микросхемы надежно защищены технически, и их дополнительная правовая охрана не всегда необходима.

Законодательство об охране топологий интегральных микросхем признает два условия охраноспособности: творческий характер топологии, оригинальность топологии.

Несмотря на то что оба условия взаимосвязаны, между ними есть различия. Творческий характер труда авторов топологии признается, поскольку авторами топологии считаются физические лица, в результате творческой деятельности которых создана топология. С содержательной точки зрения невозможно отрицать творческий характер авторов топологии, так как, хотя электрические связи компонентов микросхемы предопределяются соответствующими принципиальными схемами, расположение этих компонентов и связи между ними реализуются благодаря творческой деятельности авторов топологии.

Второе условие охраноспособности - оригинальность топологии. В ст. 1448 ГК РФ установлено, что «топология интегральной микросхемы признается оригинальной, если не доказано обратное».

Следовательно, для интегральных микросхем условия охраноспособности топологий выполнены, если топология является результатом творческого труда и является новой, неизвестной иным разработчикам и производителям интегральных микросхем. Второе условие охраноспособности важно для третьих лиц, которые намерены оспорить предоставленные права на зарегистрированную топологию микросхемы.

Таким образом, топологии интегральных микросхем могут считаться объектами авторского права и охраняться соответствующим законодательством.

На основании заявки на регистрацию федеральный орган исполнительной власти по интеллектуальной собственности вносит топологию в Реестр топологий интегральных микросхем и выдает заявителю (правообладателю) свидетельство о государственной регистрации. Свидетельство на топологию удостоверяет авторство, приоритет топологии и право на использование. Срок охраны топологий интегральных микросхем составляет 10 лет (ст. 1457 ГК РФ).